科举院试博物馆设在学政试院旧址,在清康熙至光绪年间,一直是扬属8县考生员(秀才)的试场,故又称“学政试院”。明清时代是江苏学政进行科举考试,考选扬州府所辖州县生童的地方。至少有101位学政在这里主持过三百多场考试。这里曾经名人辈出,文采飞扬 ...     [详细]
科举院试博物馆地处历史文化名城江苏省泰州市主城区中心。 泰州市,江苏省地级市,长江北岸水陆交通枢纽,新兴工业城市。位于扬州市与南通市之间,地处澛汀河、南官河与通扬运河交会,通扬公路经此,是里下河地区的入江门户。
门  票:成人票 30元/人
开放时间:8:00 - 17:30
地  址:泰州市海陵区府前路2号
传真号码:0523-86232827
联系电话:0523-86232827 86232869
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老虎机游戏开户,SDRAM理论篇之根底知识及操作时序解说 邓堪文博

SDRAM理论篇之根底知识及操作时序解说

FPGA进修条记 Kevin 4年前 (2016-01-12) 20028℃

这个礼拜正在举行SDRAM的进修,当然闭于SDRAM的理论知识,正在上周讲了一部分,而这周重要的还是写代码及调试。若是有伴侣正在这之前没有接触过内存的话,能够看下业内写的比较好的扫盲作品《妙手进阶 终极内存手艺指南》(点击进入下载),虽然Kevin正在这之前也一经看过这篇作品,可是看完之后关于写代码还是毫无头绪,以是Kevin正在这里倡议大家,若是是完整不知路内存是神马的伴侣能够看下这篇作品,关于少许有根底可是不了解SDRAM操作时序的伴侣能够直接看SDRAM厂商的官方文档,虽然Kevin也会正在这篇博文中会根据自己对官方手册的理解来解说SDRAM操作时序,但还是倡议大家多看英文文档,这样才干体味原汁原味的知识,这也是为了预防所谓的“权威”中文版给大家带来某些误导,究竟也是会有少许伴侣正在看着“权威”的中文翻译版本却正在一直的骂娘,哈哈。以是大家也不要轻信所谓的中文翻译版手册,因为每幼我关于手册中的英文意思的理解都有可以有区别,以是大家要置信厂商的手册才是最权威的。

接下来,咱们正式起头解说SDRAM的有闭知识。

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动静随机存储器。同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动静是指存储阵列需要不息的刷新来保证存储的数据不迷失,因为SDRAM中存储数据是通过电容来工作的,大家知路电容正在天然支配状态是会有放电的,若是电放完了,也就意味着SDRAM中的数据迷失了,以是SDRAM需要正在电容的电量放完之前举行刷新;随机是指数据不是线性依次存储,而是自正在指定地点举行数据的读写。

闭于SDRAM的内部结构

我们借用《妙手进阶 终极内存手艺指南》中的部分文字来举行解说:

SDRAM内部着实是一个存储阵列,大家能够设想一下,若是SDRAM内部不是以阵列的形式保存而是以管路的形式保存,那SDRAM是很难做到随机接见的。阵列就好像一张外格相同,将数据填进去。和外格的检索原理相同,先确定一个行(Row),再确定一个列(Col),我们就能够正确的找到所需要的单元格,这便是内存芯片寻址的基本原理。关于内存,这个单元格能够成为存储单元,那么这个外格(存储阵列)叫什么呢?这便是逻辑Bank (Logic Bank,下文简称Bank).

sdram_bank

看到这里,大家应该不难设想,我们对SDRAM举行寻址的方式为:先确定Bank的地点,再确定行和列的地点。

SDRAM内存容量推算方式

闭于内存的推算,我们先看下手册

图中的128Mb外示SDRAM的总容量,2M:外示1个Bank共有2M个地点,也便是说一个bank有2M个存储单元;4Bank外示有4个Bank;16 I/O外示位宽为16位,数据总线用的是16位的,1个存储单元能存储的最大的数为2^16-1=65535。然后再根据各个参数算下容量:2M x 4 x 16b = 128Mb .

SDRAM芯片引脚先容

第一个图是SDRAM的引脚图,第二图是各个引脚信号的描画信休

sdram_pin

pin_description

上面的两个图正在SDRAM芯片的手册上都是能够找到的,下面Kevin来单一的先容下我们做FPGA开发需要沉点闭注的信号

CLK:SDRAM工作的时钟,并且全体的输入信号都是正在CLK的上升沿举行检测的,也便是说我们给SDRAM给的任何命令,一定要正在CLK的上升沿维持稳固,免得SDRAM获取我们给出的命令时呈现谬误。

CKE:时钟使能信号,是用来节制SDRAM内部时钟是否工作的一个信号(正在SDRAM内部也是有时钟的哦)

CS:片选信号,这里需要留神的是,若是要对SDRAM举行操作,必需要将片选信号拉低

BA0,BA1:Bank地点线,用来给bank的地点,能够节制SDRAM的4个bank